인피니언, 엔비디아와 800VDC AI 데이터센터용 GaN 기반 전력 변환 시스템 협력
인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 AI 데이터센터용 800V 직류(VDC) 전력 아키텍처 분야에서 엔비디아와의 협력을 확대한다. 이번 협력은 AI 데이터센터 전력 공급 체인의 핵심 전력 변환 단계 중 하나인 고전압 IBC(Intermediate Bus Converter)에 초점을 맞추며, 인피니언의 질화갈륨(GaN) 기술은 IBC에 적합한 핵심 기술로 부상하고 있다.
인피니언과 엔비디아는 데이터센터의 전체 전력 공급 체인에 걸쳐 협력하고 있으며, 이번 협력은 2025년 발표한 양사 협력의 연장선이다. 양사는 유지보수와 핫스왑이 가능한 800VDC 서버 랙 구현을 위한 전력 아키텍처 기술을 지속적으로 발전시키고 있다.
요흔 하나벡(Jochen Hanebeck) 인피니언 CEO는 “AI는 전력 인프라에 대한 요구를 근본적으로 변화시키고 있으며, 이러한 과제를 해결하는 데 반도체가 핵심적인 역할을 한다. 엔비디아와의 800V 전력 아키텍처 협력은 인피니언의 축적된 반도체 전문성과 AI 시대에 요구되는 빠른 혁신이 결합할 때 무엇이 가능한지를 보여준다. GaN 기반 시스템 솔루션은 차세대 데이터센터를 구현하는 핵심 기술이며, 인피니언은 그리드에서 코어까지 AI 시대에 필요한 전력을 공급하는 데 기여하고 있다”고 말했다.
AI 워크로드의 막대한 전력 소비에 대응하기 위해 데이터센터는 IBC를 도입하고 있다. IBC는 가속기 카드에 공급되는 메인 버스 전압을 더 낮은 전압으로 변환하며, 이후 전력 변환 단계에서 AI 프로세서의 코어 및 부하점(PoL)에 필요한 정밀한 전압을 효율적으로 공급할 수 있도록 한다. 이러한 다단계 방식은 전력 분배 손실을 줄이면서도 제한된 보드 면적, 열 관리 및 가동시간 요구사항을 충족하도록 지원한다. AI 인프라의 전력 밀도가 높아짐에 따라 기존 AC 및 저전압 DC 아키텍처와 함께 800VDC가 고밀도 컴퓨팅을 위한 새로운 전력 분배 방식으로 도입되고 있다.
GaN은 실리콘 대비 손실을 줄이면서 훨씬 빠르게 스위칭할 수 있어 IBC 단계에서 최대 1MHz의 높은 스위칭 주파수를 구현할 수 있다. 이를 통해 자기 소자와 수동 소자의 크기를 크게 줄여 전력 밀도를 높이고 보드 높이를 낮출 수 있다. 또한 GaN은 높은 전력 변환 효율로 랙당 전력 수준이 메가와트급으로 증가하는 상황에서도 발열을 줄이는 데 기여한다.
인피니언은 GaN 전력 반도체와 PSoC™ Control C3 및 EiceDRIVER™ 제품군을 결합해 IBC를 위한 완전한 시스템 솔루션을 제공한다. 인피니언의 GaN 포트폴리오는 HV IBC에 요구되는 800V에서 50V, 12V, 6V로의 전압 변환을 지원한다. 이를 통해 데이터센터 운영자는 전력 밀도와 효율을 유지하면서 랙 아키텍처를 유연하게 최적화할 수 있다.
이번 협력 확대는 인피니언이 AI 인프라를 위한 ‘그리드 투 코어(grid-to-core)’ 전력반도체 파트너로서 입지를 강화하고 있음을 보여준다. 인피니언은 전력망에 연결되는 전원공급장치부터 프로세서의 부하점까지 전체 전력 공급 체인에 걸쳐 솔루션을 제공한다.
